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领先!聚能晶源8英寸GaN外延材料项目即墨投产

2019-09-11 14:00 来源:乐投国米最新
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乐投国米最新9月11日讯 9月10日,聚能晶源(乐投)半导体材料有限公司“8英寸GaN外延材料项目投产暨产品发布仪式”在乐投市即墨区盛大举行。乐投市即墨区区长吕涛、乐投城投集团董事长邢路正等出席。

据悉,该项目一期建成产能为年产1万片6-8英寸GaN外延晶圆。聚能晶源项目是乐投市重点项目,有望成为全球领先的GaN外延材料专业制造商。

耐威科技董事长杨云春表示,耐威科技自上市以来,积极在物联网产业领域进行布局,重点发展MEMS和GaN业务。其中在GaN领域,耐威科技在即墨投资设立了聚能晶源公司,专注GaN外延材料的研发生长;在崂山投资设立了聚能创芯公司,专注GaN器件的开发设计。从入驻到项目建成投产,聚能晶源仅仅用了一年多的时间,离不开乐投市与即墨区各级政府的大力支持与耐心指导。

聚能晶源总经理袁理博士现场发布了多系列6-8英寸GaN外延晶圆产品,并对项目及产品做了相关介绍。其中,8英寸硅基氮化镓外延晶圆与6英寸碳化硅基外延晶圆,可满足下一代功率与微波电子器件对于大尺寸、高质量、高一致性、高可靠性氮化镓外延材料的需求,为5G通讯、云计算、新型消费电子、智能白电、新能源汽车等领域提供核心元器件的材料保障。

“我们希望能以此为契机,积极把握第三代半导体产业的国产替代机遇,在乐投继续建设第三代半导体材料生产基地及器件设计中心,继续为我国集成电路产业的发展贡献自己的力量。”杨云春说。

据悉,聚能晶源项目掌握全球领先的8英寸硅基氮化镓外延与6英寸碳化硅基外延生长技术。在功率器件应用领域,产品系列包括8英寸AlGaN/GaN-on-Si外延晶圆与8英寸P-cap AlGaN/GaN-on-Si外延晶圆。同时,聚能晶源将自有先进8英寸GaN外延技术创新性地应用在微波领域,开发出了兼具高性能与大尺寸、低成本、可兼容标准8英寸器件加工工艺的8英寸AlGaN/GaN-on-HR Si外延晶圆。在硅基氮化镓之外,聚能晶源也拥有AlGaN/GaN-on-SiC外延晶圆产品线,满足客户在碳化硅基氮化镓外延材料方面的需求。

以聚能晶源此次展示的HVA650/HVA700型8英寸AlGaN/GaN-on-Si外延晶圆产品为例。该型GaN外延晶圆具有高晶体质量、低表面粗糙度、高一致性的材料特点。同时具有低导通电阻、高耐压、低漏电、耐高温的电学特性。值得一提的是,聚能晶源GaN外延晶圆具有优秀的材料可靠性,根据标准TDDB测试方法,其在标称耐压值下的长时有效寿命达到了109小时,处于国际业界领先水平。采用聚能晶源的GaN外延晶圆,客户在开发GaN器件时可实现高性能、高一致性、高良率、高可靠性等优势,帮助客户抢占第三代半导体器件领域的竞争先机。

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